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RFTXXN-10CR2550C Resistencia a la resistencia de RF
Modelo RFTXXN-10CR2550C Potencia 10 W Resistencia XX Ω (10 ~ 3000Ω Customizable) Tolerancia de resistencia ± 5% Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato Aln Elemento resistente Temperatura de funcionamiento de la película gruesa -55 a +150 ° C (consulte la potencia de potencia DE-RACE) sugeridos Procedimiento de montaje Potencia Potencia de perfil de reflujo P. excede los 6 meses, se prestará atención a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda ... -
Resistencia de chips RFTXX-20CR2550C Resistencia a RF
Procedimientos de montaje sugeridos Perfil de reflujo de potencia P/N Designación Use atención ■ Después del período de almacenamiento de piezas recién compradas excede los 6 meses, la atención se prestará a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda almacenar después del empaque de vacío. ■ Taladre los vías térmicos a través de PCB y llénense con soldadura. ■ Se prefiere la soldadura de reflujo para la soldadura, consulte la curva de reflujo ■ Para cumplir con los requisitos del dibujo, se debe instalar un radiador de tamaño suficiente. ■ Si es necesario, ... -
RFTXX-30CR2550ta Resistencia de montaje de superficie RF Resistencia
Modelo RFTXX-30CR2550TA Potencia 30W Resistencia XX Ω (10 ~ 3000Ω Customizable) Tolerancia de resistencia ± 5% Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistente de la película gruesa Temperatura de operación -55 a +150 ° C (ver la potencia DE POWER DE-RACE) sugeridos Procedimiento de montaje Potencia Potencia de perfil de reflujo de reflujo Atención de designación de almacenamiento de nuevo Uso Atención de designación de almacenamiento de nuevo. excede los 6 meses, se prestará atención a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda ... -
Aislador de banda ancha
Los aisladores de banda ancha son componentes importantes en los sistemas de comunicación de RF, que proporcionan una variedad de ventajas que los hacen muy adecuados para diversas aplicaciones. Estos aisladores proporcionan cobertura de banda ancha para garantizar un rendimiento efectivo en un amplio rango de frecuencia. Con su capacidad para aislar las señales, pueden evitar la interferencia de las señales fuera de la banda y mantener la integridad de las señales de banda. Una de las principales ventajas de los aisladores de banda ancha es su excelente rendimiento de aislamiento alto. Aislan efectivamente la señal en el extremo de la antena, asegurando que la señal en el extremo de la antena no se refleje en el sistema. Al mismo tiempo, estos aisladores tienen buenas características de onda de pie de puerto, reduciendo las señales reflejadas y manteniendo la transmisión de señal estable.
Rango de frecuencia de 56MHz a 40 GHz, BW hasta 13.5GHz.
Aplicaciones militares, espaciales y comerciales.
Pérdida de baja inserción, alto aislamiento, manejo de alta potencia.
Diseño personalizado disponible a pedido.
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RFTXX-30CR6363C Resistencia de montaje de superficie RF Resistencia
Modelo RFTXX-30CR6363C Potencia 30W Resistencia XX ω (10 ~ 3000Ω Customizable) Tolerancia de resistencia ± 5% Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistivo de la película de la película gruesa-55 a +150 ° C (ver la potencia DE POWER DE-RACE) sugeridos Procedimiento de montaje Potencia Potencia de perfil de reflujo de reflujo Parts Atención de designación después del uso de almacenamiento de la nueva Atención de almacenamiento ■ El período de almacenamiento de la nueva renta de almacenamiento de la revista. excede los 6 meses, se prestará atención a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda ... -
RFTXX-30CR2550W Resistencia de montaje de superficie RF Resistencia
Model RFTXX-30CR2550W Power 30 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts excede los 6 meses, se prestará atención a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda ... -
RFTXXN-02CR2550B, resistencia de chips, resistencia de RF
Modelo RFTXXN-02CR2550B Potencia 2 W Resistencia XX ω (10 ~ 3000Ω Customizable) Tolerancia de resistencia ± 5% Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato Aln Elemento resistente Película gruesa Temperatura operativa -55 a +150 ° C (ver la potencia de potencia DE RACA) PROCEDIMIENTO DE MONTAJE SUGRADO Potencia Potencia de compromiso de compromiso Partido Partado Partido Afterm. Usar la atención de designación del almacenamiento de la actualidad. excede los 6 meses, se prestará atención a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda ... -
Atenuador de microstrip con manga
El atenuador de microstrip con manga se refiere a un chip de atenuación de microstrip en espiral con un valor de atenuación específico insertado en un tubo circular de metal de un tamaño específico (el tubo generalmente está hecho de material de aluminio y requiere oxidación conductora, y también puede colocarse con oro o plata según sea necesario).
Diseño personalizado disponible a pedido.
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RFTXXA-02CR3065B Resistencia a la resistencia de RF
Modelo RFTXXA-02CR3065B Potencia 2 W Resistencia XX ω (10 ~ 3000Ω Customizable) Tolerancia de resistencia ± 5% Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Sustrato Al2O3 Elemento resistente de la película de operación de película gruesa -55 a +150 ° C (ver la potencia de la potencia DE RACA) PROCEDIMIENTO DE MONTAJE SUGENCIADO PODER POTENCIA DEL PERSIL DE COMPRADO DEL PARTE P/N Diseño de diseño Usar el período de almacenamiento de la atención del almacenamiento del almacenamiento del almacenamiento de la atención del almacenamiento de la atención de la reducción de la reducción del perfil de reflujo. Las piezas superan los 6 meses, se prestará atención a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda ... -
RFTXXN-05CR1530C Resistencia a RF Resistencia
Model RFTXXN-05CR1530C Power 5 W Resistance XX Ω ~(10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate AlN Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased Las piezas superan los 6 meses, se prestará atención a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda ... -
RFTXX-05CR2550W Resistencia de chips RF Resistencia
Modelo RFTXX-05CR2550W Potencia 5 W Resistencia XX Ω (10 ~ 3000Ω Customizable) Tolerancia de resistencia ± 5% Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistente de la película de operación de película gruesa -55 a +150 ° C (consulte la potencia de potencia DE-Rating) Procedimiento de montaje sugerido Potencia Potencia de perfil de reflujo P/N Diseño Designation Use Atención de designación de almacenamiento de nuevo. excede los 6 meses, se prestará atención a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda ... -
RFTXX-30CR6363C Resistencia a la resistencia de RF
Modelo RFTXX-30CR6363C Potencia 30W Resistencia XX ω (10 ~ 3000Ω Customizable) Tolerancia de resistencia ± 5% Coeficiente de temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistivo de la película de la película gruesa-55 a +150 ° C (ver la potencia DE POWER DE-RACE) sugeridos Procedimiento de montaje Potencia Potencia de perfil de reflujo de reflujo Parts Atención de designación después del uso de almacenamiento de la nueva Atención de almacenamiento ■ El período de almacenamiento de la nueva renta de almacenamiento de la revista. excede los 6 meses, se prestará atención a la soldabilidad antes de su uso. Se recomienda ...
